韩网讯/ 三星电子和SK海力士18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会（GTC）上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器（DRAM）芯片的第五代高带宽存储器（HBM3E）“HBM3E 12H DRAM”实物。
高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。三星电子和SK海力士占据全球DRAM市场份额前两把交椅，但三星电子在抢占HBM市场的竞争中一直落后于SK海力士，然而今年2月宣布成功研发出业内首款HBM3E 12H。
SK海力士也不甘落后，在公开HBM3E 12H产品的同时，强调英伟达最新AI产品“H100 GPU”搭载其第四代高带宽存储器（HBM3），彰显竞争优势。目前，SK海力士实际上属于英伟达的第四代高带宽存储器独家供应商，掌握着行业主导权。
SK海力士占据第四代高带宽存储器市场份额90%以上，今年1月已开始量产8层堆叠的第五代产品。SK海力士表示，公司最先向英伟达交付第五代高带宽存储器，继第四代之后，第五代产品依然率先交付客户。
