韩网获悉，三星电子决定将全球最高层三维积层技术导入西安半导体工厂，并于最近结束了政府申报程序。另外，三星电子最尖端半导体技术先后出口至中国，也引起了韩国业界的忧虑。
三星电子申请出口的技术是去年8月全球首次量产成功的积层型NAND闪存“V NAND”的新一代版本。V NAND采用了圆柱形电荷捕获闪存垂直积叠的技术，使闪存容量倍增。目前全球半导体企业中仅三星电子具备了量产能力。
分析指出，三星电子之所以如此快速升级，是为了在确保市场的同时先发制人，防止后来者的追赶。目前24层V NAND的生产价格与19纳米级NAND闪存相近，竞争公司为了应对三星的V NAND，纷纷将19纳米级转换为16纳米级。如果三星继续停留在24层V NAND上，而竞争公司顺利完成转换，那么三星将失去优势。然而若三星能够成功生产32层V NAND，那么将有可能在半导体市场掌握主动权。32层V NAND从容量上相当于10纳米级NAND闪存。
如果西安工厂能够获得成功，那么一直深陷于能力质疑的李在镕也将获得可以证明自己的成果。但是有忧虑称，如果西安工厂失败的话，其影响将不止于三星电子一家企业，而是会对韩国整个的半导体产业造成打击。
随着三星的纳米技术、尖端三维技术先后出口中国，韩国对新一代半导体技术的投资很有可能首先在中国开花结果。业界专家指出，“三星电子当时在推进西安工厂项目时，曾经向政府保证将和国内保持一定的技术时间差，但现在这一承诺变得毫无意义”。
